0.18um混合信号增强1.8V/.3V SPICE模型

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本文档为采用中芯0.18um 1.8V/.3V混合信号工艺的电路设计人员提供SPICE模型。本文件描述了器件建模的详细信息，包括MOSFET模型（晶片信息、模型能力、固定角模型表、1/f噪声模型、LOD应力效应模型等），以及双极性甘美尔-普恩模型、二极管模型、互连模型、电阻器模型、MOS变容器模型的晶片信息、，和MIM电容器模型。