HF：H2O2：CH3COOH中Si、Si1−xGex和Ge的湿式化学蚀刻

小英说半导体

今天，整个互补金属氧化物半导体社区正在寻找解决方案，以满足国际半导体技术路线图的要求。过程诱导应变技术目前被广泛应用于65和45 nm节点技术，以提高短器件的迁移率。然而，对于32 nm及以下，激进的设计规则降低了这类技术的效率，而这种“局部应变方法”还不足以满足驱动电流方面的ITRS路线图要求。为了弥补这一点，晶片级张力应变绝缘体上硅方法在今天得到了广泛的关注。为了弥补这一点，晶片级张力应变绝缘体上方法在今天得到了广泛的关注。绝缘体上的硅已经出现在高性能、低功率和射频应用的路线图上，这被视为静电和动态助推器解决方案，由于改进的阈下摆动为完全耗尽的设备，较小的寄生元件，并且，在部分耗尽的技术中，对浮动的身体效应。张力应变硅增强了n型金属氧化物半导体场效应晶体管，1-3中的电子迁移率，而在单轴上，压缩应变Si通道增加了p型金属氧化物半导体场效应晶体管的空穴迁移率4 SiGe在硅上的异质外延是获得这种应变结构的一种很有前途的途径。硅和锗之间晶格参数的差异产生了弹性应变层。

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