【SCR】结构与【Snapback】结构问题---ESD

海闊天空

各位前辈好,
SCR 于NMOS做的NPN ESD器件,都是利用击穿CMOS工艺寄生的三极管来放电,他们都与工艺相关性很大，那谁与工艺相

关性更大呢?

在SCR中,有源区上的CONTACT与阱的间距,可以采用最小间距;

在NMOS管中，Drain上的CONTACT的间距有比较严格的要求;

那我是不是可以这样理解:

利用NMOS管来做的NPN放电结构与工艺的相关性,比SCR结构对工艺的相关性更大呢?